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SRM 2134 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入標(biāo)準(zhǔn)品

簡要描述:SRM 2134 - 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。

  • 英文名稱:Arsenic Implant in Silicon Depth Profile Standard
  • 產(chǎn)品型號:SRM 2134
  • CAS:
  • 產(chǎn)品規(guī)格:each
  • 純度:
  • 品牌:美國NIST
  • 訪  問  量:511

產(chǎn)品介紹

SRM 2134 硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品 旨在用于通過二次離子質(zhì)譜 (SIMS) 分析技術(shù)校準(zhǔn)對硅基質(zhì)中微量和痕量砷的二次離子響應(yīng)。 SRM 2134 用于校準(zhǔn) SIMS 儀器在特定儀器條件下對硅基質(zhì)中砷的響應(yīng)。它也可以被實驗室用作校準(zhǔn)硅中砷工作標(biāo)準(zhǔn)的轉(zhuǎn)移標(biāo)準(zhǔn)。 SRM 2134 的一個單元由一個 1 cm × 1 cm 的單晶硅襯底組成,該襯底已被離子注入同位素 75As,標(biāo)稱能量為 100 keV。 SRM 2134 經(jīng)認(rèn)證可用于 75As 原子的保留劑量。劑量以每單位面積的砷質(zhì)量單位表示。 SIMS 提供了關(guān)于砷原子濃度隨地表以下深度變化的其他未經(jīng)認(rèn)證的信息。



認(rèn)證濃度值:

 75As 原子的總保留劑量通過儀器中子活化分析確定。將兩種獨立制備的砷參考溶液(其中一種是 NIST SRM 3103a 砷標(biāo)準(zhǔn)溶液,經(jīng)砷濃度認(rèn)證)等分試樣沉積在濾紙上,作為分析中的標(biāo)準(zhǔn)。由此產(chǎn)生的認(rèn)證價值和 擴(kuò)展的不確定性是

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認(rèn)證值的不確定度表示為擴(kuò)展不確定度 U = kuc,其中 k 是 2.04 的覆蓋因子,置信水平約為 95%,uc 是根據(jù) ISO 指南 [1] 計算的組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度.組合標(biāo)準(zhǔn)不確定度是從測量過程中導(dǎo)出或估計的單個標(biāo)準(zhǔn)不確定度的平方和的平方根。


 A 型和 B 型標(biāo)準(zhǔn)不確定度分量來自以下主要來源的測量不確定度:(1) 比較標(biāo)準(zhǔn)的濃度,(2) 樣品和標(biāo)準(zhǔn)之間的中子注量暴露差異,(3) 測量復(fù)制,(4) 標(biāo)準(zhǔn)的計數(shù)統(tǒng)計,(5) 脈沖堆積,以及 (6) 衰減時間效應(yīng)。所有已知的潛在不確定性來源都已被考慮 [2-4]。



處理、儲存和使用說明

處理:SRM 2134  硅深度剖面標(biāo)準(zhǔn)中的砷植入 標(biāo)準(zhǔn)品  的植入面是拋光的反射面。該表面在包裝前已清潔。使用前,應(yīng)立即使用加壓空氣除塵器從表面清除灰塵顆粒。不建議在氫氟酸中蝕刻此 SRM,因為表面氧化物可能會去除一些砷。


儲存:不使用時,SRM 應(yīng)存放在其原始托盤中,并蓋緊蓋子。


用途:隨著連續(xù)層被離子轟擊去除,SIMS 可以通過監(jiān)測一種或多種濺射離子種類,獲得作為深度函數(shù)的材料成分信息。使用該技術(shù)時,通常使用與未知物質(zhì)在同一基質(zhì)中的相同物質(zhì)的參考樣品校準(zhǔn)物質(zhì)的濃度值


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